全球最大的内存芯片制造商之一三星电子公司计划使用其尖端工艺生产下一代高带宽内存HBM4，该型号是为人工智能(AI)设备提供动力的核心芯片。“三星想通过其4纳米制程工艺在HBM(高带宽内存)领域占据主导地位。”《韩国经济日报》报道称，三星想以此举对抗其竞争对手SK海力士和台积电。
据“韩国商业”网站报道，HBM是一种用于显卡、数据中心、人工智能等高性能计算应用的内存芯片。与传统内存芯片相比，它的效率更优。AI热潮下，机器学习等需要大量计算能力和内存带宽，对HBM需求增加。
去年4月，韩国存储芯片制造商SK海力士和中国台湾晶圆代工企业台积电签署了合作开发HBM4的谅解备忘录，为AI领域的头部企业英伟达提供相关产品，这一合作被很多媒体称为“HBM联盟”。
目前，为SK海力士拿下HBM市占率第一宝座的产品是HBM3。业内人士透露，SK海力士正加快开发HBM4和HBM4E，计划在2025年和2026年量产，以与英伟达的AI加速器发布时间一致。受益于英伟达股价上涨，作为其重要供应商，SK海力士的价值也在上升。
一直以来，三星与SK海力士在存储芯片市场竞争激烈。AI热潮下，双方更是通过新产品开发和大规模生产来获得优势。据《韩国经济》报道，面对SK海力士和台积电组成的联盟，三星电子决定利用自身“综合半导体企业”的优势，独自完成HBM生产、芯片设计等工作。从明年开始批量生产的HBM4市场的竞争格局将是“三星电子vs台积电+SK海力士”。
三星此次押注4纳米被业内认为是要收复HBM市场份额的“失地”，目前SK海力士在这一市场仍排名第一。当初业内很多人预测，三星电子将在HBM4生产上使用7纳米或8纳米工艺，因为三星7纳米工艺从2019年开始广泛使用，是稳定工艺，但此次三星一下子提升至4纳米，是为了实现“HBM的逆转”。半导体业界相关人士表示，“和7纳米、8纳米相比，4纳米制程花费很大，但在芯片性能和用电量方面表现更优秀”。
Trend Force集邦咨询透露，三星电子4纳米工艺良率已达到70%以上，与台积电水平相似。因此有分析称，若提高价格竞争力，三星或许有机会。
“与台积电和SK海力士不同，芯片设计人员参与HBM4生产是我们的独特优势。”三星一位高管表示。据“韩国商业”网站报道，三星电子已在其设备解决方案部门新设“HBM开发组”，新成立的开发团队将专注于推进HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术。
对于三星的计划，SK海力士和台积电已准备采取相应措施。据《韩国经济日报》报道，两家公司决定在原计划的12纳米制程基础上，增加5纳米制程工艺来生产HBM4。
“三星和SK海力士之间争夺AI芯片霸权的竞争正在升温，尤其是在HBM4芯片方面。三星面临的第一个挑战是让其HBM芯片获得英伟达的批准。”《韩国经济日报》援引一位专业人士的话分析称。
此外，美国存储芯片企业美光也将目光锁定HBM市场，该公司6月公布的一份报告显示，其计划将HBM市场份额从目前的“中等个位数”提高到一年后的20%左右。
在全球HBM市场上，根据Trendforce集邦咨询数据，SK海力士2024年市场份额预计将超过52%，三星紧随其后，为42.4%，而美光预计只占据5%的市场份额。“我们认为三星需要一些时间才能赶上，这是因为存在一定的技术差异，”《日经亚洲评论》援引惠誉分析师谢莉·江的话表示，“从中长期来看，我们认为市场结构不会发生巨大变化。”
此前，SK海力士还发布全球招聘广告，为48个HBM相关职位招聘有经验的员工。《韩国经济日报》报道说，三星电子对此处于高度戒备状态，因为它正面临着超过6500名工人的罢工，且半导体部门的员工是此次罢工的主力。但据韩国《朝鲜日报》11日报道，目前三星电子的5个工会中只有“全国三星电子工会”在罢工。由于参与罢工的人数较少，实际芯片生产出现问题的可能性不大。但是由于信赖度下降，招揽客户方面或许会遇到阻碍。
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